電壓探頭關(guān)鍵因素對(duì)高頻暫態(tài)電壓測(cè)量精度的影響分析

仿真電路

高頻暫態(tài)電壓由圖6a所示的雙脈沖測(cè)試電路產(chǎn)生，采用Saber軟件進(jìn)行電路仿真，仿真波形如圖6b所示。所用開關(guān)器件為有開爾文源的MOSFET，在各目標(biāo)信號(hào)中，VGs1為高共模電壓低壓差分信號(hào)，VDs1為高共模電壓高壓差分信號(hào)，VGs2為低共模電壓低壓差分信號(hào)，VDS2為高壓對(duì)地信號(hào)。根據(jù)信號(hào)類型，VGs1、VDs1和 VGs2需采用差分探頭測(cè)量，VDS2既可采用高阻無(wú)源探頭測(cè)量，也可采用差分探頭測(cè)量。當(dāng)開關(guān)器件無(wú)開爾文源時(shí)，S2驅(qū)動(dòng)回路源端接地，VGs2也可采用高阻無(wú)源探頭或具有寬輸入范圍的有源單端探頭測(cè)量。

圖6. 雙脈沖測(cè)試電路及其仿真結(jié)果

帶寬與上升時(shí)間

對(duì)于n個(gè)模塊級(jí)聯(lián)而成的線性時(shí)不變系統(tǒng)，記各級(jí)階躍響應(yīng)的上升時(shí)間為tr,m，當(dāng)各級(jí)的階躍響應(yīng)皆為高斯函數(shù)（高斯響應(yīng)）時(shí)，系統(tǒng)的上升時(shí)間可表示為

當(dāng)各級(jí)階躍響應(yīng)有過(guò)沖現(xiàn)象且過(guò)沖幅度大約為階躍幅度的5%或10%時(shí)，系統(tǒng)的上升時(shí)間將比式(4)給出的上升時(shí)間略短，系統(tǒng)的過(guò)沖幅度約為各級(jí)過(guò)沖幅度總和的二次方根。

考慮目標(biāo)信號(hào)、電壓探頭和示波器級(jí)聯(lián)形成的系統(tǒng)，各級(jí)階躍響應(yīng)的上升時(shí)間依次記為 tr,sign、tr,probe、 tr,scope。其中后兩級(jí)組成的測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)示波器的前端放大器相互隔離，使得這兩者的上升時(shí)間相互獨(dú)立，常用的電壓探頭和示波器一般具有高斯響應(yīng)，由式(4)可得測(cè)量系統(tǒng)的上升時(shí)間為

進(jìn)一步地假設(shè)目標(biāo)信號(hào)和電壓探頭的上升時(shí)間也相互獨(dú)立，則整個(gè)系統(tǒng)的上升時(shí)間，即示波器顯示波形的上升時(shí)間為

實(shí)際上電壓探頭對(duì)目標(biāo)信號(hào)有負(fù)載效應(yīng)，目標(biāo)信號(hào)的上升時(shí)間將因探頭的加入而改變。負(fù)載效應(yīng)模型如圖7所示。圖中，Vs為單位階躍信號(hào)源，Rs為信號(hào)源電阻，Cs為負(fù)載電容，Vsign為目標(biāo)信號(hào)，Ri與Ci為電壓探頭的輸入阻抗。未施加探頭時(shí)，由RC電路的階躍響應(yīng)函數(shù)易得目標(biāo)信號(hào)的上升時(shí)間tr,sign為2.2RsCs。同理施加電壓探頭后，目標(biāo)信號(hào)的上升時(shí)間變?yōu)?.2(Rs//Ri)(Cs+Ci)。目標(biāo)信號(hào)上升時(shí)間因電壓探頭的負(fù)載效應(yīng)而變化的程度可表示為

圖7. 電壓探頭對(duì)目標(biāo)信號(hào)的負(fù)載效應(yīng)模型

開關(guān)器件的柵源電壓和漏源電壓對(duì)應(yīng)的等效負(fù)載電容Cs可分別用器件的輸入電容和輸出電容近似，tr,sign可由數(shù)據(jù)表直接讀出，因此開關(guān)器件等效信號(hào)源電阻Rs可表示為tr,sign/(2.2Cs)，取現(xiàn)有商售SiC器件進(jìn)行估算，可得目標(biāo)信號(hào)的等效負(fù)載電阻約在100Ω的數(shù)量級(jí)上,而常用的高阻無(wú)源探頭和有源高壓差分探頭的輸入電阻數(shù)量級(jí)約為MΩ，于是，式(7)可近似為

高阻電壓探頭的輸入電容越大，其對(duì)開關(guān)器件的負(fù)載效應(yīng)越明顯。然而，由于開關(guān)器件的輸入電容和輸出電容是變量，不能用式(8)來(lái)準(zhǔn)確計(jì)算。

考慮到電壓探頭的負(fù)載效應(yīng)，式(8)可修正為

進(jìn)而可定義測(cè)量系統(tǒng)產(chǎn)生的上升時(shí)間誤差為

可知，為減小目標(biāo)信號(hào)的上升時(shí)間測(cè)量誤差，應(yīng)使電壓探頭的輸入電容足夠小，并且使測(cè)量系統(tǒng)的上升時(shí)間遠(yuǎn)小于目標(biāo)信號(hào)的上升時(shí)間。

帶寬和上升時(shí)間成反比，對(duì)于高斯響應(yīng)型的測(cè)量系統(tǒng)，兩者間關(guān)系可近似表示為

暫態(tài)信號(hào)含有豐富的頻率分量，理論上需要用全部的頻率分量才能重構(gòu)暫態(tài)信號(hào)，實(shí)際上頻率過(guò)高的分量對(duì)暫態(tài)信號(hào)的重構(gòu)影響甚微，為此定義拐點(diǎn)頻率，在暫態(tài)信號(hào)重構(gòu)過(guò)程，高于拐點(diǎn)頻率的分量將被舍棄。對(duì)于目標(biāo)信號(hào)，其拐點(diǎn)頻率表示為

因此，從頻域的角度看，為減小目標(biāo)信號(hào)上升時(shí)間的測(cè)量誤差，應(yīng)當(dāng)要求測(cè)量系統(tǒng)的帶寬遠(yuǎn)大于目標(biāo)信號(hào)的拐點(diǎn)頻率。

圖8比較了在不同的探頭帶寬下VDs2和VGs2的仿真波形，為簡(jiǎn)化分析，不考慮示波器的作用，以探頭輸出電壓Vp和衰減系數(shù)k的乘積作為目標(biāo)信號(hào)的測(cè)量結(jié)果。不難看出，隨著探頭帶寬的降低，目標(biāo)信號(hào)測(cè)量結(jié)果的上升時(shí)間變長(zhǎng)，測(cè)量誤差也相應(yīng)增大。此外，可以看出探頭的測(cè)量結(jié)果滯后于目標(biāo)信號(hào)，即出現(xiàn)傳輸延遲現(xiàn)象，這主要是探頭的傳輸線導(dǎo)致的，本文對(duì)此不作深入討論。

圖8. 不同的探頭帶寬下VDs2和VGs2的仿真波形比較

為定量說(shuō)明電壓探頭對(duì)目標(biāo)信號(hào)測(cè)量結(jié)果上升時(shí)間的作用，取VDs2在50MHz帶寬探頭作用前后的上升時(shí)間來(lái)分析。由圖8a可知，該探頭的負(fù)載效應(yīng)使VDs2的上升時(shí)間由10.424ns變?yōu)?0.875ns，又由式(11)可得該探頭的上升時(shí)間約為7ns，將這些數(shù)據(jù)代入到式(9)可解得探頭測(cè)量結(jié)果的上升時(shí)間為12.933ns，這與仿真得到的12.915ns一致。由式(10)可得，50MHz帶寬探頭對(duì)VDs2上升時(shí)間的測(cè)量誤差達(dá)到23.9%，這表明低帶寬探頭無(wú)法滿足高頻暫態(tài)信號(hào)上升時(shí)間的測(cè)量要求。

電壓探頭帶寬過(guò)低，意味著暫態(tài)信號(hào)的高頻分量被極大衰減，當(dāng)暫態(tài)信號(hào)波形具有高頻振蕩或尖刺時(shí)，低帶寬電壓探頭將無(wú)法還原其快速變化的細(xì)節(jié)，圖8a和圖8b的仿真波形分別顯示出低帶寬探頭對(duì)目標(biāo)信號(hào)過(guò)沖幅度的抑制作用和對(duì)目標(biāo)信號(hào)尖刺波形的平滑作用。

綜上所述本節(jié)的分析得到以下主要結(jié)論:

（1）電壓探頭對(duì)目標(biāo)信號(hào)的負(fù)載效應(yīng)和測(cè)量系統(tǒng)與目標(biāo)信號(hào)的級(jí)聯(lián)效應(yīng)共同導(dǎo)致上升時(shí)間的測(cè)量誤差，且誤差隨探頭的輸入電容或上升時(shí)間增大而增大。

（2）電壓探頭的帶寬和上升時(shí)間成反比。

（3）電壓探頭帶寬過(guò)低將使測(cè)得信號(hào)的過(guò)沖幅度下降、尖刺波形平滑。

寄生電感

為了提高測(cè)量的靈活性，高阻無(wú)源探頭的地線端通常設(shè)計(jì)為拖尾的鱷魚夾，引入了地線線路電感和接地環(huán)路電感。出于同樣的原因，有源高壓差分探頭的信號(hào)端通常留有一定長(zhǎng)度的引線，于是也引入了寄生電感。此外，有些探測(cè)點(diǎn)受限于物理空間而難以直接測(cè)量，通常需要在探測(cè)點(diǎn)和探頭間額外接入一段引線，這同樣會(huì)引入寄生電感。

探頭前端的寄生電感Lp與輸入電容Ci相互影響，兩者在高頻時(shí)形成諧振，諧振頻率為

對(duì)于某一確定的探頭，其諧振頻率將隨寄生電感的增大而減小。考慮到諧振頻率附近，電壓探頭增益劇增,因此當(dāng)諧振頻率靠近或低于探頭帶寬時(shí)，探頭在帶寬內(nèi)的線性度將極大降低。

當(dāng)目標(biāo)信號(hào)有過(guò)沖或振鈴現(xiàn)象時(shí)，探頭前端的寄生電感會(huì)加劇目標(biāo)信號(hào)測(cè)量結(jié)果的振蕩。不同探頭寄生電感下VDs2和VGs2的仿真波形比較如圖9所示。以VDs2的上升暫態(tài)波形為例進(jìn)行分析，由圖9a可知其振鈴階段的振蕩頻率約為100MHz。

圖9. 不同探頭寄生電感下VDs2和VGs2的仿真波形比較

仿真所用無(wú)源探頭的輸入電容為 9.5pF，取地線電感Lg分別為50nH、100nH、150nH，則探頭的諧振頻率依次約為230MHz、160MHz、130MHz?？芍?，隨著地線電感增大，諧振頻率逐漸接近于目標(biāo)信號(hào)振蕩頻率，這將導(dǎo)致探頭對(duì)振蕩頻率附近分量的增益變大。如圖9a 所示，隨著地線電感增大，VDs2測(cè)量結(jié)果的過(guò)沖幅度漸次增大，這與分析一致。

即使目標(biāo)信號(hào)無(wú)明顯過(guò)沖現(xiàn)象，當(dāng)電壓探頭的諧振頻率接近或低于目標(biāo)信號(hào)的拐點(diǎn)頻率時(shí)，測(cè)量結(jié)果仍會(huì)出現(xiàn)過(guò)沖或振鈴，圖9b即為這種情況。

綜上所，本節(jié)的分析得到以下主要結(jié)論:

（1）電壓探頭的寄生電感與輸入電容對(duì)目標(biāo)信號(hào)高頻分量產(chǎn)生諧振作用，諧振頻率隨寄生電感的增大而降低。

（2）當(dāng)電壓探頭諧振頻率逐漸降低且逼近于目標(biāo)信號(hào)振蕩頻率時(shí)，測(cè)得波形的振蕩幅度將增大。

（3）低諧振頻率電壓探頭對(duì)無(wú)明顯過(guò)沖現(xiàn)象的目標(biāo)信號(hào)仍能產(chǎn)生振蕩作用。

共模抑制比

對(duì)于差分探頭，其輸出電壓可表示為

式中，Vdm與Vcm分別為輸入電壓信號(hào)的差模分量和共模分量。由式(1)可得

如果取共模增益極性為正，則有

進(jìn)而可定義差分探頭輸入信號(hào)的偽差模分量為

偽差模分量與差模分量的比值衡量了差分探頭的“共模誤差”，即

由于差分探頭兩差分信號(hào)路徑的阻抗對(duì)稱性隨頻率增大而變差，因此差分探頭的共模抑制比一般隨共模分量頻率增大而降低。對(duì)于具有相同差模分量幅度和共模分量幅度的信號(hào)，差分探頭的“共模誤差”將隨信號(hào)頻率升高而顯著增大。

差分探頭在低于帶寬時(shí)的差模增益基本不變，約為其衰減系數(shù)的倒數(shù)，即有kAdm≈1，因此差分探頭的數(shù)據(jù)表中一般用201g(k|Acm|)表示共模抑制比，它與式(1)中定義的共模抑制比近似互為相反數(shù)。不同的探頭共模抑制比下VGs1的仿真波形比較如圖10所示。圖10a為典型有源高壓差分探頭“共模抑制比”的頻率響應(yīng)曲線，為方便分析，仿真時(shí)取共模抑制比為常值，用這些共模抑制比不同的探頭測(cè)量VGs1，得到圖10b的仿真結(jié)果。仿真電路下管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，VGs1差模電壓為-3V，共模電壓約為600V。取共模抑制比為60dB的探頭分析，由式(17)可算出該探頭輸入信號(hào)的偽差模分量為0.6V，進(jìn)而由式(18)可得該探頭測(cè)量結(jié)果的“共模誤差”達(dá)到20%，這與仿真結(jié)果一致。此外，由仿真波形可知，隨著共模抑制比的提高，探頭的“共模誤差”逐漸減小。

綜上所述本節(jié)的分析得到以下主要結(jié)論:

（1）“共模誤差”由兩個(gè)因素組成：

①差分探頭的共模抑制比；

②目標(biāo)信號(hào)的共模分量與差模分量之比，且“共模誤差”隨前者的增大或后者的減小而減小。

（2）差分探頭的共模抑制比一般隨共模分量頻率增大而減小，這導(dǎo)致開關(guān)器件暫態(tài)信號(hào)的“共模誤差”往往比穩(wěn)態(tài)信號(hào)的“共模誤差”更大。

圖10. 不同的探頭共模抑制比下VGS1的仿真波形比較