半導(dǎo)體器件的可靠性測試或試驗是半導(dǎo)體生命環(huán)節(jié)的重要部分,是必須完成的一個流程要求??煽慷鹊亩x是產(chǎn)品在規(guī)定的時間內(nèi),在特定的使用(環(huán)境)條件下,執(zhí)行特定的性能或功能時完成任務(wù)的概率(成功概率)或發(fā)生故障的概率。也就是說,可靠度是指預(yù)期產(chǎn)品銷售后,在使用的壽命期間會有多少產(chǎn)品失效,同時也可藉由可靠度的評估去推估在保固時間內(nèi)會有多少比例的退貨產(chǎn)品。而對于功率器件來說,可靠性是指器件在一定時間內(nèi)、一定條件下無故障的運行的能力,是功率器件重要的品質(zhì)特性之一。要滿足現(xiàn)代技術(shù)和生產(chǎn)的需要,獲得更高的經(jīng)濟效益,必須使用高可靠性的產(chǎn)品,這樣設(shè)計的產(chǎn)品才具有更高的市場競爭力。
半導(dǎo)體器件高溫反偏試驗系統(tǒng)針對半導(dǎo)體器件的可靠性要求,滿足多種標準的可靠性試驗系統(tǒng)。本系統(tǒng)可以完成高溫工作壽命HTOL、溫濕度H3TRB、高溫反偏HTRB和高溫柵偏HTGB的可靠性試驗工藝過程的試驗。半導(dǎo)體器件高溫反偏試驗系統(tǒng),器件的封裝類型:軸向 徑向二極管、TO-247-3 4、TO-3P、TO-220 等,可以根據(jù)需要選擇。
一、 滿足的試驗標準
lESD51-1
AEC-Q101
GJB128A
MIL-STD-750
JESD22A-108
JESD22A-101
二、 滿足的試驗器件類型
二極管
MOSFET
IGBT
CMOS
IPM 等功率器件
各類IGBT 模塊
三、試驗系統(tǒng)的電氣參數(shù)及功能
漏電流范圍:10nA~1A(HTRB、H3TRB)
漏電流范圍:1nA~2mA(HTGB)
試驗電壓:10V~6000V(HTRB、HTOL)
試驗電壓:±30V-200V(HTGB、H3TRB)
四、產(chǎn)品主要特點:
試驗溫度:采用整個溫區(qū)為有效試驗區(qū)的設(shè)計方式,確保溫區(qū)在滿載 的條件下每個插槽溫度的均勻性和穩(wěn)定性。
試驗電源:采用輸出接近式小紋波程控直流試驗電源,電源輸出速率 可調(diào),且漸近試驗電壓值,有效避免由于電源輸出試驗電壓過沖而損 傷器件。
試驗電壓:無損激勵源的偏壓方式,試驗電路無限流電阻,被測器件 線路無分壓,確保器件兩端電壓恒定不突變,從而確保試驗數(shù)據(jù)的真實。
試驗檢測:高邊輸入端控制通斷,可物理開關(guān)方式剔除異常器件的偏壓源輸入,不影響其它器件,避免限流電阻發(fā)熱碳化或燒毀電路板、避免頻繁更換限流電阻,從而降低使用成 本;高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),對數(shù)據(jù)實現(xiàn)準實時監(jiān)控,確保異常器件能即時被發(fā)現(xiàn)和相應(yīng)處理。
試驗配件:老化板,夾具上無電阻等發(fā)熱器件,不會燒毀電阻及 PCB 等,降低使用耗材。
五、 試驗系統(tǒng)的容量及擴展
試驗通道:8/16/24、可擴展
MAX 工位數(shù):640/ 1280 /1960
老化板尺寸:280mm×500mm (器件不同會變化)
器件的封裝類型:軸向/徑向二極管、TO-247-3/4、TO-3P、TO-220 等,可以根據(jù)需要選擇
老化板可以支持新的封裝類型,如D-PAK(252)、D2PAK(263)E-mode、WPAK、POWER-PAK 等。
模塊:IGBT 半橋、全橋等
六、試驗系統(tǒng)的其它參數(shù)
供電電源:220V+10%, 50Hz
主體尺寸:W1500×H1740×D1600(mm)
主體重量:800KG
額定功率:20KW
工作溫度:0—40 度