一、半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)概述：

        半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是滿足IEC60747-8/9、JESD24標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)分析系統(tǒng)。旨在幫助工程師解決器件驗(yàn)證、器件參數(shù)評(píng)估、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)等需要半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)的場(chǎng)合。特別對(duì)于應(yīng)用第三代半導(dǎo)體的需要，擁有著較高的系統(tǒng)帶寬，可以有效的測(cè)量出實(shí)際的器件參數(shù)。

二、系統(tǒng)組成

       半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)動(dòng)態(tài)參數(shù)分析儀，主要包括PC、示波器、低壓源、高壓直流源、探頭以及相關(guān)測(cè)試配件等構(gòu)成。半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)采用12bit示波器，可正確反應(yīng)波形細(xì)節(jié)和參數(shù)的準(zhǔn)確計(jì)算，且具備高帶寬的電壓和電流探測(cè)特點(diǎn)，能滿足SiC/GaN的測(cè)量要求，同時(shí)可以滿足上/下管測(cè)試要求，可避免頻繁連接探頭。該系統(tǒng)測(cè)量參數(shù)齊全，且支持多種器件類型。

三、主要應(yīng)用

（1）功率半導(dǎo)體的來料檢驗(yàn)

（2）功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)參數(shù)驗(yàn)證

（3） 實(shí)驗(yàn)室的器件評(píng)估

（4）功率半導(dǎo)體的?產(chǎn)檢驗(yàn)和篩選

（5） 實(shí)驗(yàn)室的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)改善

（6）實(shí)驗(yàn)室的PCB設(shè)計(jì)評(píng)估

四、硬件優(yōu)勢(shì):
1、采用全球首先發(fā)布的12bit示波器：正確反映波形的細(xì)節(jié)，并準(zhǔn)確計(jì)算出參數(shù)
2、采用全球首先發(fā)布的光隔離、高CMRR探頭系統(tǒng)，解決SIC\GAN的測(cè)試難點(diǎn)
3、高帶寬的電壓和電流探測(cè)，彌補(bǔ)一般系統(tǒng)對(duì)SIC/GAN的測(cè)量要求
4、可以滿足上/下管測(cè)試，避免頻繁連接探頭
5、電壓覆蓋范圍寬、并可以再次擴(kuò)展
6、器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)支持SIC/GAN器件
7、系統(tǒng)帶寬：>400MHz
8、系統(tǒng)可以定制

五、軟件特點(diǎn)：
1、測(cè)量參數(shù)齊全：開關(guān)參數(shù)、短路參數(shù)、反向恢復(fù) 參數(shù)
2、支持器件類型多：?jiǎn)喂?模塊，MOSFET、IGBT、 FWD、GTR…
3、測(cè)試方式：?jiǎn)蚊}沖、多脈沖
4、離線數(shù)據(jù)分析：既可以在線測(cè)量，也可以記錄數(shù)據(jù) 離線分析
5、測(cè)試UI符合工程師的使用習(xí)慣
6、測(cè)量項(xiàng)目及器件支持?jǐn)U展

（1）軟件界面

（2）示波器界面

（3）測(cè)量功能

          半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)軟件可測(cè)量開關(guān)參數(shù)、反向恢復(fù)參數(shù)、柵極電荷、短路參數(shù)、雪崩能量.

（4）模塊/單管驅(qū)動(dòng)、測(cè)試板

六、采集系統(tǒng)的主要工具主要特點(diǎn)

（1）帶寬500MHz、1000MHz

（2）較佳系統(tǒng)精度 1.5%

（3）達(dá)160 dB CMRR光隔離探

（4）12位示波器的精密增益校準(zhǔn)保證較佳的結(jié)果

七、測(cè)試項(xiàng)目

八、雙脈沖測(cè)試法

       雙脈沖測(cè)試法可以測(cè)試IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)的性能，獲取 IGBT 穩(wěn)態(tài)和暫態(tài)過程中的主要參數(shù)，用以評(píng)估IGBT 模塊和驅(qū)動(dòng)的性能，并進(jìn)行電路參數(shù)的優(yōu)化。

       具體包括測(cè)試 IGBT 的實(shí)際工況、開關(guān)損耗、關(guān)斷電壓尖峰、開關(guān)暫態(tài)震蕩情況、二極管反向恢復(fù)電流、雜散電感影響、吸收電路影響、 短路保護(hù)功能等， 可以通過測(cè)試進(jìn)行優(yōu)化柵極電阻 RG_ON 和 RG_OFF 參數(shù)、吸收電路參數(shù)、開關(guān)頻率設(shè)置等，并可以進(jìn)行 IGBT 模塊的并聯(lián)和串聯(lián)實(shí)驗(yàn)。

九、半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用全球首先發(fā)布的12bit示波器：正確反映波形的細(xì)節(jié)，并準(zhǔn)確計(jì)算出參數(shù)：