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110GHz光波元件分析儀測(cè)試電光調(diào)制器頻率

2024-08-13 09:00:51

一、110GHz電光強(qiáng)度調(diào)制器成功研發(fā)

       近日,首款國產(chǎn)化110GHz電光強(qiáng)度調(diào)制器產(chǎn)品在國家信息光電子創(chuàng)新中心(NOEIC)研制成功,并獲多家產(chǎn)業(yè)客戶驗(yàn)證和訂購。

      該調(diào)制器以國產(chǎn)薄膜鈮酸鋰芯片為核心,可在C和L波段工作,具有超高帶寬、超高速率、低啁啾、低驅(qū)動(dòng)電壓、高線性度等特性,其3dB帶寬高達(dá)110GHz,是我國首款帶寬突破110GHz的電光調(diào)制器產(chǎn)品,關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到世界先進(jìn)水平,將廣泛應(yīng)用于光通信、光互連、光計(jì)算、光電測(cè)試測(cè)量、微波光子等寬帶光電子信息系統(tǒng)。通常用110GHz光波元件分析儀測(cè)試電光調(diào)制器頻率。

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       高速電光調(diào)制器的主要功能是將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào),是光電子系統(tǒng)不可或缺的核心器件。隨著光電子信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,對(duì)電光調(diào)制器的帶寬、速率上的要求也不斷增加。
       目前,我國僅能研制生產(chǎn)帶寬40GHz以內(nèi)的電光調(diào)制器產(chǎn)品,而帶寬超過67GHz的電光調(diào)制器被美日等少數(shù)公司壟斷,且價(jià)格昂貴,嚴(yán)重威脅產(chǎn)業(yè)自主發(fā)展。

       為盡快補(bǔ)齊 我國高端光電子器件供應(yīng)鏈這一短板,國家信息光電子創(chuàng)新中心三年磨一劍,攻克并掌握了超高帶寬調(diào)制器芯片、RF高性能傳輸基板、高頻電學(xué)互連焊接工藝、管殼腔體諧振抑制等關(guān)鍵技術(shù),核心芯片和零部件實(shí)現(xiàn)全部國產(chǎn)化,今年相繼發(fā)布40GHz、60GHz和90GHz三款高帶寬光強(qiáng)度調(diào)制器產(chǎn)品,近日又成功實(shí)現(xiàn)110GHz電光強(qiáng)度調(diào)制器的首次國產(chǎn)化,填補(bǔ)了國內(nèi)空白。該系列產(chǎn)品獲得了國內(nèi)多家產(chǎn)業(yè)用戶和研究院所的驗(yàn)證和訂購,將有效緩解高端光調(diào)制器的“卡脖子”問題。  


二、電光調(diào)制器常見參數(shù)定義

      電光調(diào)制器的性能主要由幾個(gè)參數(shù)決定,相對(duì)而言,插損、半波電壓、帶寬和消光比是比較常見的,也是比較經(jīng)常問到的問題。

1、插損 (Insertion loss-IL)

2、靜態(tài)消光比(Static Extinction Ratio - SER)

3、動(dòng)態(tài)消光比(Dynamic Extinction Ratio - DER)

4、半波電壓 (Vπ) 

(1)直流偏壓的半波電壓VπDC 的測(cè)量(DC 偏壓端口)

(2)射頻半波電壓VπRF的測(cè)量(RF 射頻端口):強(qiáng)度調(diào)制器、相位調(diào)制器、

5、電回?fù)pS11(Electrical return loss)及電光帶寬S21(Electro-optical  bandwidth)

6、其他一些特殊指標(biāo),比如,偏振相關(guān)損耗(Polarization Dependent Loss –PDL),偏振消光比(Polarization Extinction Ratio – PER),剩余強(qiáng)度調(diào)制(Residual Amplitude Modulation – RAM)


三、110GHz光波元件分析儀測(cè)試電光調(diào)制器頻率

(一)進(jìn)口110GHz光波元件分析儀推薦

          高速光通信領(lǐng)域中必不可少的組成部分是各種光電器件,例如激光器、光調(diào)制器以及光探測(cè)器等。除了光電器件之外,還有激光器/調(diào)制器驅(qū)動(dòng)電路,光電接收機(jī)后面的跨阻放大器(TIA)限幅放大器等等,所有這些器件其設(shè)計(jì)頻率跨度從射頻到微波,甚至毫米波波段。其驅(qū)動(dòng)電路形式中既有小信號(hào)/低噪聲,又包含了大功率電路,而且其模擬信號(hào)頻率可以高達(dá)40GHz (甚至毫米波:60GHz以上)。想要通過優(yōu)化器件以達(dá)到系統(tǒng)極佳工作狀態(tài),就必須對(duì)這些關(guān)鍵光電有源器件進(jìn)行高效和準(zhǔn)確的測(cè)試。

        進(jìn)口110GHz光波元件分析儀在射頻微波領(lǐng)域和光通信領(lǐng)域有長期的測(cè)試方案支持歷史,并不斷更新以滿足前沿的測(cè)試需求。在射頻微波方面提供的網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試方案,經(jīng)歷多年發(fā)展后推出新的毫米波網(wǎng)絡(luò)分析儀,可支持900Hz-110GHz全頻段的一體化網(wǎng)絡(luò)分析測(cè)試。基于新的毫米波網(wǎng)絡(luò)分析儀,配套的110GHz光波元件分析儀(LCA)將測(cè)試領(lǐng)域拓展到高速光電器件,將光器件測(cè)試頻段也提升至業(yè)界比較高的110GHz范圍。

       110GHz光波元件分析儀具有以下特點(diǎn):

(1)作為一套完整的光波元器件分析儀方案,出廠時(shí)已對(duì)光測(cè)試座和整個(gè)分析儀系統(tǒng)進(jìn)行精密的校準(zhǔn),技術(shù)指標(biāo)可溯源至NIST,可以很好地保證在測(cè)試過程中測(cè)量參數(shù)的精準(zhǔn)度和可靠性。

(2)帶寬高達(dá)110GHz,且支持雙端口和四端口配置,可很好地滿足一些高速器件的平衡測(cè)試。

(3)內(nèi)置1310nm和1550nm激光器,同時(shí)可支持外部光源輸入,極大地增加了測(cè)試系統(tǒng)的靈活性.

(4)出色的底噪和頻響精度:

1、相對(duì)頻響精度:±0.7dB @ 50GHz ±1.6dB @ 100GHz

2、底噪:50 (100)GHz O/E測(cè)試時(shí):-60 (50)dB (A/W),50 (100)GHz E/O測(cè)試時(shí)-64 (59)dB (W/A)

(5)現(xiàn)場(chǎng)校準(zhǔn)過程快速、簡(jiǎn)單,只需進(jìn)行網(wǎng)分的電端口校準(zhǔn),可顯著提高測(cè)試精度和工作效率。

(6)測(cè)試系統(tǒng)包含完整的毫米波網(wǎng)絡(luò)分析儀功能,可靈活擴(kuò)展網(wǎng)絡(luò)分析儀的各種測(cè)試應(yīng)用,如放大器/混頻器/時(shí)域分析/頻譜分析等功能。

(7)光波元件分析儀支持自動(dòng)化控制,可集成探針臺(tái)和其他光測(cè)試設(shè)備組成自動(dòng)化在片測(cè)試系統(tǒng),進(jìn)行高效的校準(zhǔn)和光電芯片批量測(cè)試。


(二)國產(chǎn)110GHz光波元件分析儀推薦

光波元件分析儀


       隨著5G/6G光通信帶來的流量和速率的提升及物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心的大規(guī)模建設(shè),400G光模塊已成為下一代光通信網(wǎng)絡(luò)和新一代數(shù)據(jù)中心的主流方案,其核心的光芯片帶寬從50/67GHz逐步向110GHz演變。為解決大帶寬光芯片的頻響測(cè)試難題,思儀科技突破多項(xiàng)核心技術(shù),重磅推出Ceyear光波元件分析儀(Lightwave Component Analyzer, LCA),產(chǎn)品調(diào)制頻率范圍覆蓋10MHz~110GHz,頻率響應(yīng)重復(fù)性±1.2dB,可實(shí)現(xiàn)光芯片的帶寬、平坦度、電反射等頻響參數(shù)的測(cè)量。

       光芯片研發(fā)和生產(chǎn)中,對(duì)帶寬、電反射等指標(biāo)的測(cè)試,可準(zhǔn)確評(píng)估芯片的性能。光波元件分析儀依據(jù)被測(cè)芯片的類型,搭配相應(yīng)的光電/電光轉(zhuǎn)換模塊,采用超寬頻帶1.0mm同軸連接,構(gòu)建“微波-電/光-光/電-微波”的測(cè)試鏈路,形成針對(duì)電光及光電芯片的頻響測(cè)試解決方案,如圖2為電光芯片(電光調(diào)制器芯片)頻響測(cè)試解決方案。


光波元件分析儀


電光調(diào)制器芯片頻響測(cè)試解決方案


       光波元件分析儀集成電電(E/E)、電光(E/O)、光電(O/E)和光光(O/O)四種測(cè)試功能模式,功能模式之間支持一鍵切換,方便用戶結(jié)合測(cè)試場(chǎng)景,實(shí)現(xiàn)電光芯片(EAM、EAL等)、光電芯片(PIN、APD等)、光光芯片(EDFA、SOA等)及電電芯片(放大器芯片、混頻器芯片等)頻響參數(shù)的精準(zhǔn)測(cè)量,如圖3所示,以光電探測(cè)器芯片為例,6433P通過搭配探針臺(tái)、高頻探針,利用儀器自帶的校準(zhǔn)端面管理功能,提取高頻探針的s2p文件,將該文件利用射頻去嵌入功能,消除探針對(duì)測(cè)試鏈路的影響,完成被測(cè)件的測(cè)量。


光波元件分析儀


探測(cè)器芯片測(cè)試框圖


      通過電光器件S11、S21參數(shù)及光電器件S22、S21參數(shù)的測(cè)試,利用多窗口對(duì)比、3dB帶寬分析等,用戶能獲取測(cè)試對(duì)象各頻點(diǎn)的反射參數(shù)、傳輸參數(shù)等頻響特性,滿足科研、產(chǎn)品線等測(cè)試需求。                        


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探測(cè)器芯片的S21曲線


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探測(cè)器芯片的S22曲線


       光波元件分析儀的調(diào)制頻率可下探至500Hz,滿足用戶低頻段測(cè)試需求;Mini 1Hz的頻率分辨率和比較高200001點(diǎn)的測(cè)量點(diǎn)數(shù),能夠帶來更豐富的頻點(diǎn)信息和更精細(xì)的測(cè)量結(jié)果;配置四端口機(jī)型可實(shí)現(xiàn)平衡光發(fā)射或光接收芯片對(duì)差分增益參數(shù)的測(cè)試需求;配備的LAN、GPIB遠(yuǎn)程控制接口及SCPI指令集,為系統(tǒng)集成及自動(dòng)化測(cè)試提供有力的保障。

       光波元件分析儀具有寬頻帶同軸覆蓋、測(cè)試功能豐富、一鍵式快速掃頻等優(yōu)點(diǎn),具備出色的微波及光電特性。靈活的硬件配置和豐富的軟件功能相輔相成,助力用戶解決光芯片頻響測(cè)試難題。

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