伴隨著工信部印發(fā)的《汽車(chē)芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南》（簡(jiǎn)稱(chēng)《指南》），汽車(chē)芯片體系化建設(shè)被提上日程，本期我們將對(duì)《指南》涉及到的一些重點(diǎn)芯片與測(cè)試領(lǐng)域，做技術(shù)層面解讀，以及對(duì)汽車(chē)和芯片的重要細(xì)分領(lǐng)域，功率芯片的測(cè)試做更詳細(xì)的介紹，本文主要包含以下內(nèi)容：《汽車(chē)芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南》概覽；汽車(chē)芯片類(lèi)型與功能概述；汽車(chē)芯片測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)；汽車(chē)芯片細(xì)分領(lǐng)域測(cè)試概覽. 功率芯片建模提參，靜態(tài)與動(dòng)態(tài)測(cè)試。

一、《汽車(chē)芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南》概覽

       《指南》根據(jù)汽車(chē)芯片技術(shù)現(xiàn)狀、產(chǎn)業(yè)應(yīng)用需要及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，提出到2025年，制定30項(xiàng)以上汽車(chē)芯片重點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)，明確環(huán)境及可靠性、電磁兼容、功能安全及信息安全等基礎(chǔ)性要求，制定控制、計(jì)算、存儲(chǔ)、功率及通信芯片等重點(diǎn)產(chǎn)品與應(yīng)用技術(shù)規(guī)范，形成整車(chē)及關(guān)鍵系統(tǒng)匹配試驗(yàn)方法，滿(mǎn)足汽車(chē)芯片產(chǎn)品安全、可靠應(yīng)用和試點(diǎn)示范的基本需要；到2030年，制定70項(xiàng)以上汽車(chē)芯片相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步完善基礎(chǔ)通用、產(chǎn)品與技術(shù)應(yīng)用及匹配試驗(yàn)的通用性要求，實(shí)現(xiàn)對(duì)于前瞻性、融合性汽車(chē)芯片技術(shù)與產(chǎn)品研發(fā)的有效支撐，基本完成對(duì)汽車(chē)芯片典型應(yīng)用場(chǎng)景及其試驗(yàn)方法的全覆蓋，滿(mǎn)足構(gòu)建安全、開(kāi)放和可持續(xù)汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)的需要。下圖是汽車(chē)芯片標(biāo)準(zhǔn)體系框圖，其中包括了各個(gè)工作組職能。    

圖：汽車(chē)芯片標(biāo)準(zhǔn)體系框圖，摘錄自《指南》

二、汽車(chē)芯片類(lèi)型與功能概述

       產(chǎn)品與技術(shù)應(yīng)用類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范在汽車(chē)上應(yīng)用的各類(lèi)芯片所應(yīng)符合的技術(shù)要求及試驗(yàn)方法。此類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)涵蓋控制芯片、計(jì)算芯片、傳感芯片、通信芯片、存儲(chǔ)芯片、安全芯片、功率芯片、驅(qū)動(dòng)芯片、電源管理芯片和其他類(lèi)芯片 10 個(gè)類(lèi)別，如下示意圖：

圖：智能汽車(chē)架構(gòu)與所用芯片示意

三、汽車(chē)芯片測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)

      標(biāo)準(zhǔn)的建立，有助于幫助OEM，Tier 1 及測(cè)試機(jī)構(gòu)有統(tǒng)一的方案來(lái)驗(yàn)證整車(chē)及零部件的性能及可靠性測(cè)試。在實(shí)際測(cè)試過(guò)程中，汽車(chē)芯片測(cè)試面臨許多挑戰(zhàn)，特別是在當(dāng)前全球芯片短缺的背景下，包括：

1、復(fù)雜性：現(xiàn)代汽車(chē)芯片集成了許多功能，如處理器、傳感器、通信模塊等。測(cè)試這些復(fù)雜的集成電路需要高度專(zhuān)業(yè)的知識(shí)和技能。

2、可靠性：汽車(chē)芯片必須在極端條件下運(yùn)行，如高溫、低溫、濕度和振動(dòng)。因此，測(cè)試必須確保芯片在各種環(huán)境下都能可靠地工作。

3、安全性：汽車(chē)芯片的安全性至關(guān)重要，因?yàn)樗鼈兛刂浦S多關(guān)鍵系統(tǒng)，如制動(dòng)、駕駛輔助和通信。測(cè)試必須檢測(cè)潛在的安全漏洞和風(fēng)險(xiǎn)。

4、時(shí)間壓力：汽車(chē)制造商通常需要大量芯片，以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。測(cè)試必須在緊迫的時(shí)間表下完成，以確保芯片的及時(shí)交付。

5、成本：測(cè)試設(shè)備和人力資源的成本可能很高。汽車(chē)制造商需要在保持質(zhì)量的同時(shí)控制測(cè)試成本。

     總之，汽車(chē)芯片測(cè)試需要高度專(zhuān)業(yè)的技術(shù)、嚴(yán)格的質(zhì)量控制和靈活的方法，以應(yīng)對(duì)不斷變化的需求和挑戰(zhàn)。

四、功率芯片測(cè)試概覽

       功率芯片是專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)管理和調(diào)節(jié)高電壓和大電流的半導(dǎo)體設(shè)備，它們能夠在電力轉(zhuǎn)換、能源管理和動(dòng)力系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效率和高性能的要求。在新能源汽車(chē)中，功率芯片用于電池管理系統(tǒng)（BMS）、逆變器、充電設(shè)備和驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器等關(guān)鍵部件，確保電能有效轉(zhuǎn)換和傳輸，提升車(chē)輛的行駛里程和性能；而汽車(chē)智能化對(duì)功率芯片的需求則主要體現(xiàn)在其特級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）、車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)、車(chē)載網(wǎng)絡(luò)以及自動(dòng)駕駛技術(shù)中，這些系統(tǒng)需要功率芯片提供穩(wěn)定、可靠的電力支持，以保證數(shù)據(jù)處理和通信的高效率。

       功率芯片正在向更高的功率密度、更低的能耗、更高的可靠性和更長(zhǎng)的壽命方向發(fā)展。采用先進(jìn)材料（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN）的功率芯片，因其在高溫、高壓和高頻條件下的卓越性能，正成為新能源和智能汽車(chē)領(lǐng)域的優(yōu)選。而隨著SiC/GaN技術(shù)的普及，怎么選擇更適合產(chǎn)品設(shè)計(jì)的功率器件，如何分析功率器件的不良原因等都是新能源行業(yè)從業(yè)者較為關(guān)心的問(wèn)題，對(duì)功率芯片的測(cè)試，主要涉及包括功率器件建模，功率器件電路仿真，功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試等，下面分別做一個(gè)介紹：

1、功率器件建模

     現(xiàn)在大多數(shù)功率器件都是基于Level 3 MOS管的模型，加上許多非線(xiàn)性方程式結(jié)合而成。這需要對(duì)功率器件及建模有充分的認(rèn)識(shí)才能實(shí)現(xiàn)。實(shí)際建模的過(guò)程，可以基于PD1000A測(cè)量到的靜動(dòng)態(tài)參數(shù)，S參數(shù)直接進(jìn)行建模，自動(dòng)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的模型。

2、功率器件電路仿真

     功率器件的電路仿真可以基于ADS仿真平臺(tái)，在這平臺(tái)上直接進(jìn)行前仿真(pre-layout simulation)及后仿真(post-layout simulation)。在前仿的部分可直接使用PEMG抽取的模型參數(shù)，搭配內(nèi)建的行為級(jí)模型，例如PWM產(chǎn)生器、運(yùn)算放大器(OPAMP)、非線(xiàn)性磁性元件，建立關(guān)鍵電路原理圖。接著在同一平臺(tái)上，可以直接進(jìn)行版圖的設(shè)計(jì)，并抽取版圖的寄生電路，直接導(dǎo)回原理圖仿真，完成后仿真。在這整合的設(shè)計(jì)環(huán)境下，使用者可以實(shí)現(xiàn)精細(xì)化仿真，使用仿真精準(zhǔn)的預(yù)估電路的特性，一次完成Z終設(shè)計(jì)，就能達(dá)到設(shè)計(jì)指標(biāo)。另外，ADS仿真平臺(tái)還提供一鍵生成EMI測(cè)試電路，使用者可以在ADS上完成EMI的仿真，優(yōu)化EMI的設(shè)計(jì)，以符合EMC的指標(biāo)。

3、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

     靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的，與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)，主要包括：門(mén)極開(kāi)啟電壓、門(mén)極擊穿電壓，集電極發(fā)射極間耐壓、集電極發(fā)射極間漏電流、寄生電容（輸入電容、轉(zhuǎn)移電容、輸出電容），以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線(xiàn)的測(cè)試。

     碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN)等全新寬帶隙材料能夠支持大電壓和高切換速度。在高電壓直流偏置條件下 (高達(dá) 3 kV)，高擊穿電壓 (達(dá) 10 kV)、大電流 (數(shù)千安培)、柵極電荷以及連接電容表征和器件溫度特征和 GaN器件電流崩潰效應(yīng)測(cè)量功能十分必要，是推動(dòng)新器件盡快上市的重要保證，靜態(tài)參數(shù)測(cè)試的器件類(lèi)型和項(xiàng)目主要包括：

       以上靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，可以用B1505A和B1506A兩套方案來(lái)完成。其中B1506A支持寬泛的電流和電壓工作范圍（1500 A，3 kV），并且支持全自動(dòng)測(cè)試，可以完成功率器件IV、CV和Qg全參數(shù)測(cè)試，Z終輸出產(chǎn)品Datasheet報(bào)告。

圖：B1506A功率器件分析儀/曲線(xiàn)追蹤儀

         一個(gè)典型的Datasheet測(cè)試報(bào)告如下所示，包括IV參數(shù)（擊穿電壓、漏電、開(kāi)啟特性），CV參數(shù)（Rg、輸入、輸出和反向傳輸電容）和柵極電荷Qg。

圖：功率器件自動(dòng)化Datasheet測(cè)試結(jié)果

4、功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

      隨著開(kāi)關(guān)頻率的不斷增加，功率器件/芯片的開(kāi)關(guān)損耗超過(guò)靜態(tài)損耗成為主要功耗來(lái)源，動(dòng)態(tài)參數(shù)也成為評(píng)估器件性能的重要參數(shù)。相對(duì)于器件的靜態(tài)參數(shù)，動(dòng)態(tài)參數(shù)主要表征的是器件在開(kāi)啟或關(guān)斷瞬間的電學(xué)特性參數(shù)，其主要是寄生電阻和寄生電容在動(dòng)態(tài)應(yīng)用中，會(huì)引起充、放電過(guò)程，給電路實(shí)際工作帶來(lái)一些限制同時(shí)也決定的器件的開(kāi)關(guān)性能。

      JEDEC委員會(huì)致力于WBG（寬禁帶）器件特性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)化，DPT（雙脈沖測(cè)試）技術(shù)已經(jīng)成為確定功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)，主要測(cè)試參數(shù)包括：

       對(duì)功率器件/芯片的DPT測(cè)試，主要采用PD1500A；而對(duì)于需要更高功率的模組，則可以采用PD1550A，如下圖：

圖：動(dòng)態(tài)功率器件分析儀/雙脈沖測(cè)試儀，用于功率芯片測(cè)試

動(dòng)態(tài)功率器件分析儀/雙脈沖測(cè)試儀，用于功率芯片與模組測(cè)試